执行摘要 Executive Summary

2026 年，中国碳化硅（SiC）产业站在了历史的转折点上。全球 SiC 龙头 Wolfspeed 申请 Chapter 11 破产保护，负债 65 亿美元；天岳先进以 27.6% 的全球份额首次登顶导电型 SiC 衬底市场第一，其中 8 英寸衬底市占率突破 51.3%——全球每两片外销 8 英寸 SiC 衬底，就有一片来自中国。

需求端发生结构性迁移：AI 数据中心从"可选"变"刚需"，2026 年 AI 服务器电源 SiC 市场规模约 3 亿美元（+200% YoY），年复合增长率 50%-60%；新能源车 SiC 渗透率预计 2029 年达 47.7%。供给端呈现结构性反转：6 英寸衬底价格从 2025 年低点反弹，头部厂商产能利用率普遍突破 90%。

核心研判

1. 衬底环节已实现国产主导，但器件与模组仍是"卡脖子"关键，尤其 1700V 以上高压市场海外品牌仍占 70%+。

2. 技术迭代从"三年一代"压缩至"18 个月两代"，国内厂商已从"跟跑"进入"并跑"阶段。

3. AI 数据中心正取代新能源车成为 SiC 增速最快的单一赛道，产业逻辑从"单车渗透"走向"全域爆发"。

二关键数据 Key Figures at a Glance

27.6%天岳先进 2025 年全球导电型 SiC 衬底市占率，首次登顶第一

来源：富士经济 2026.3

51.3%天岳先进 8 英寸 SiC 衬底全球份额，全球每两片就有一片来自中国

来源：富士经济 2026.3

65 亿美元Wolfspeed 负债规模，2025.5 申请破产保护，股价单日跌 57%

来源：36 氪 2026.6

+67%2025 年国产 SiC 功率模块出货量 1280 万只，同比增速

来源：工信部 2026Q1

3 亿美元2026 年 AI 服务器电源 SiC 市场规模（+200% YoY）

来源：新浪财经 2026.6

47.7%2029 年全球新能源车 SiC 渗透率预测（2022 年为 19.2%）

来源：Yole Group

110 亿美元2031 年全球 SiC 功率器件市场规模预测

来源：Yole Group

-54%8 英寸晶圆较 6 英寸 SiC MOSFET 芯片成本下降幅度

来源：证券日报

三第一章 产业概况：第三代半导体的"功率心脏"

3.1 SiC 的核心价值

碳化硅（SiC）是禁带宽度达 3.26eV 的宽禁带半导体材料，相比传统硅器件，其核心物理优势体现在四个维度：耐高压（临界击穿电场强度是硅的 10 倍）、耐高温（可在 200℃ 以上稳定工作）、低损耗（开关损耗降低 50% 以上）、高热导（散热能力是硅的 3 倍）。这些特性使 SiC 成为高功率、高频、高温应用场景的"功率心脏"。

3.2 产业链结构

SiC 产业链分为四大环节：衬底（单晶生长，技术壁垒最高，成本占比最大）、外延（在衬底上生长功能层）、器件制造（芯片设计与晶圆加工）、封装模组（功率模块集成）。衬底是"卡脖子"最核心的环节——制备难度大、良率难控、成本占比高（在 SiC 器件 BOM 中占 40%-50%）。

四第二章 2025-2026 行业拐点：从低价出清到结构性涨价

4.1 2025 年的"至暗时刻"

2025 年全球 SiC 行业深陷低价竞争泥潭。6 英寸导电型衬底均价从年初的 4000-4500 元/片跌至 2000 多元，部分散货极端报价出现 1800 元/片，逼近成本线。全行业衬底产能过剩约 150 万片，中小厂商加速退出。

"2025 年的价格战虽然惨烈，但客观上加速了行业优胜劣汰，那些缺乏技术和成本优势的中小厂商正逐步退出，头部企业则凭借规模和技术优势迎来集中度提升的窗口期。"—— 屈放，万联证券投资顾问

4.2 2026 年的结构性反转

行情拐点自 2025Q4 逐步显现，2026 年供需缺口全面拉开。英飞凌、意法半导体、安森美等国际龙头率先启动调价，国内衬底、器件厂商同步跟进。上海有色网数据显示，2026 年 4 月 6 英寸衬底价格较 3 月低位明显回升，8 英寸价格止跌企稳并小幅上行。头部衬底企业产能利用率普遍突破 90%。

时间节点	6 英寸衬底价格（元/片）	行业状态
2020 年	4400-6400	日韩寡头垄断
2023 年	4000-5000	国产扩产启动
2025 年初	4000-4500	行业景气高位
2025 年末	1800-2400（极端低价）	产能过剩，价格战触底
2026 年 4 月	反弹明显	供需反转，头部满载

五第三章 产业链透视：衬底 · 外延 · 器件 · 模组

5.1 衬底环节：国产主导格局已成

据《第三代半导体产业发展报告 2025》，我国 SiC 衬底材料整体供给规模已占全球约 50%，正式跻身全球第一梯队。天岳先进以 27.6% 的全球份额首次登顶，天科合达紧随其后占 7.2%，中国厂商合计超过 50%。曾经的霸主 Wolfspeed 份额从 2022 年的 42% 暴跌至 18%，同比下滑 6.3 个百分点。

厂商	2022 年份额	2025 年份额	变化
Wolfspeed（美国）	42.0%	18.0%	-24.0pp
天岳先进（中国）	10-12%	27.6%	+15.6pp
天科合达（中国）	—	7.2%	—
Coherent（美国，原 II-VI）	—	约 12%	—
中国厂商合计	—	>50%	首次超越

5.2 器件与模组环节：仍是"卡脖子"关键

650V-1700V 中低压 SiC 器件国产替代已取得实质性进展，但 1700V 以上高压市场海外品牌仍占 70% 以上份额。2025 年国产 SiC 功率模块出货量 1280 万只（+67% YoY），在新能源车主驱和光伏逆变器两大核心场景的国产化率分别提升至 28% 和 35%。

器件环节头部企业进展：士兰微 8 英寸 SiC 功率器件芯片产线于 2026 年 1 月通线（总投资 120 亿元，一期年产 42 万片 8 英寸芯片）；华润微多款 SiC MOS 产品通过车规认证，主驱模块批量上车，产线基本满产；斯达半导、三安光电同步推进衬底与芯片产线建设。

5.3 上游材料与设备：协同突破

上游配套加速国产化：锦州神工半导体募资 10 亿元建设 SiC 陶瓷零部件项目（填补国内高端自给缺口）；晶盛机电旗下晶瑞年产 60 万片 8 英寸项目加速投产，马来西亚工厂预计 2026 年底通线；博迁新材已可量产低至 80nm 的镍粉并成为三星电机核心供应商。

六第四章 竞争格局：国产崛起与海外巨头重整

6.1 海外：Wolfspeed 陨落，瑞萨暂停投资

全球 SiC 龙头 Wolfspeed 的陨落标志着一个时代的终结。2022 年还占据全球 42% 衬底份额的霸主，2024 财年资本支出高达 21 亿美元但营收仅 8.07 亿美元，巨额投入与产出严重失衡。新建的 8 英寸晶圆厂产能利用率不足 20%，高折旧与运维成本击穿现金流。2025 年 5 月股价单日暴跌 57%，随后申请 Chapter 11 破产保护，债务削减 70%，关停达勒姆 150mm 器件工厂并裁员 1/3。

Wolfspeed 仍保留三大技术底牌：2026 年 1 月量产 300mm（12 英寸）SiC 晶圆、3 月推出业界首款商用 10kV SiC MOSFET、AI 数据中心业务连续多季度保持 30% 环比增速。但受制于整体亏损，难以扭转经营颓势。瑞萨电子 2025 年也宣布暂停 SiC 投资。

6.2 国内：天岳先进登顶，多家企业冲刺

天岳先进用三年时间完成从"跟跑"到"领跑"的跨越：2022 年全球份额 10%-12%；2023 年临港工厂投产开启产能释放；2024 年 22.8% 全球第二；2025 年 27.6% 全球第一。公司首创液相法制备技术，已实现无宏观缺陷的 8 英寸衬底量产；2024 年 11 月推出业内首款 12 英寸 SiC 衬底，2025 年完成导电型、半绝缘型、P 型全产品矩阵构建。2025 年 8 月成功登陆港交所，成为 A+H 两地上市的唯一 SiC 衬底企业。

配套企业同步加速：天科合达 7.2% 全球份额，与慕德微纳合资成立慕科慧视切入 AR 光波导；三安光电、士兰微 6 英寸产线向 8 英寸升级；斯达半导、华润微器件装车与算力电源批量落地。

七第五章 技术路线：从 6 英寸到 12 英寸的"大尺寸竞赛"

7.1 8 英寸：决定成本与量产的关键

与 6 英寸相比，8 英寸晶圆可增加芯片产量约 90%，同等规格 SiC MOSFET 芯片成本下降约 54%。大尺寸化是 SiC 走向大规模商业化的必经之路。

晶圆尺寸	芯片产出增量	成本变化	2025 年主流状态
6 英寸（150mm）	基准	基准	当前主流量产
8 英寸（200mm）	+90%	-54%	头部量产爬坡中
12 英寸（300mm）	+180%+	进一步下降	样品/送样验证

全球已有超过 10 条 8 英寸 SiC 产线规划落地，英飞凌、博世、罗姆等国际头部企业均已明确 8 英寸升级路线图和时间表。天岳先进凭借 2023 年率先实现 8 英寸量产，2025 年 8 英寸产品全球市占率达 51.3%——在增量市场抢占了制高点。

7.2 12 英寸：下一站前沿

12 英寸 SiC 衬底是 Wolfspeed 多年布局的核心目标，但受困于债务重组资金链承压，产业化进度严重滞后。国内厂商率先推进：天岳先进 2024 年 11 月推出业内首款 12 英寸 SiC 衬底，已送样台积电验证，进入高散热基板测试流程，有望破解高端 AI 算力芯片长期存在的散热瓶颈。三安光电、士兰微同步加速 12 英寸布局。

八第六章 应用场景：新能源车 · AI 数据中心 · 光伏储能 · 新赛道

8.1 新能源汽车：基本盘与渗透率快速提升

新能源车仍是 SiC 最大基本盘。在 800V 高压平台中，SiC 功率器件替换硅基 IGBT，可使整车综合工况能效提升 3%-4%，续航里程增加 5%-8%。800V 高压平台在新能源车中的渗透率已达 11.17%。除主驱逆变器外，车载充电机、DC-DC 变换器、电池管理系统等核心部件也已逐步采用 SiC 方案。

Yole 数据预测，全球新能源车 SiC 渗透率将从 2022 年的 19.2% 提升至 2029 年的 47.7%。国产 SiC 模块已覆盖比亚迪、蔚来、吉利、广汽等 10 余家主流车企的 28 款量产车型。

8.2 AI 数据中心：改写行业增长逻辑

AI 数据中心的爆发式增长正在改写 SiC 行业的增长逻辑。随着数据中心机柜功耗从传统 10-15kW 向更高功率演进，SiC 凭借耐高压、低损耗特性，在高压供电系统中从"可选配件"变为"刚性需求"。800V 高压直流成为行业主流选择，固态变压器作为核心枢纽为 SiC 带来新市场机遇。

年份	AI 服务器电源 SiC 市场规模	同比增速
2025 年	约 1 亿美元	基准
2026 年	约 3 亿美元	+200%
2027 年（预测）	5-6 亿美元	+70%
2030 年（预测）	约占 SiC 市场 50%	CAGR 50-60%

研判：AI 正在取代新能源车成为 SiC 增速最快的单一赛道

开源证券预计，2030 年 SiC 市场规模将达 124 亿美元，AI 基础设施贡献近半数需求。业内分析指出，当前 AI 赛道对 SiC 的需求增速已超过新能源汽车。

8.3 光伏储能与充电基础设施

光伏、储能、充电桩保持高景气度。阳光电源、华为数字能源等逆变器龙头已在 320kW 级组串式逆变器中批量采用 SiC，使逆变器效率提升至 99.4%，单座百兆瓦级光伏电站年增发电量约 15 万度。2026 年 11 月 1 日充电桩新能效国标实施，将进一步加速 SiC 器件批量导入。

8.4 新赛道：AR 光学 · 先进封装 · 固态变压器 · eVTOL

SiC 的应用边界正在以前所未有的速度拓宽。半绝缘型 SiC 衬底在 AR/VR 光学领域实现突破，成为消费电子新增长点；SiC 凭借高热导率、高机械强度成为 2.5D/3D 封装中的理想中介层材料；固态变压器（SST）、固态断路器、eVTOL 无人机等新兴场景逐步落地。

九第七章 选型建议与产业研判

9.1 选型决策矩阵

应用场景	推荐国产方案	关键考量
新能源车 800V 主驱	斯达半导 / 华润微（车规 AEC-Q101 认证）	高温高可靠，主驱效率 ≥98%
光伏 / 储能逆变器	士兰微 / 新洁能（650V-1200V SiC MOS）	效率 99.4%+，长期稳定性
AI 数据中心电源	新洁能 SiC IPM / 头部器件厂商	体积缩小 30-50%，高功率密度
充电桩	鲁晶半导体 / 头部 SiC 二极管厂	1200V/60-100A，快充效率
衬底采购	天岳先进（8 英寸首选）/ 天科合达	成本、大尺寸、量产稳定性
AR 光学 / 先进封装	天岳先进 半绝缘型 / 12 英寸样品	高热导、低缺陷密度

9.2 选型常见坑

⚠ 选型三大陷阱

坑 1：只看器件单价忽略系统总成本。SiC 单价高于硅基器件，但其高频特性可省去大量电感、散热片与滤波元件，整机系统总成本反而降低。只盯单器件价格会做出错误决策。

坑 2：忽视可靠性认证直接选用。车规、光伏、储能场景对高温高湿稳定性要求极高，未通过 IATF16949、AEC-Q101 的产品容易长期运行失效。部分小厂商仅做基础测试，未经万级净化车间批量验证。

坑 3：缺乏应用技术支持。SiC 器件的驱动、布局、散热设计与硅基有显著差异，无专业应用团队支持易出现开关损耗过高、EMC 不达标等问题，耽误项目进度。

9.3 产业中长期研判

研判 1：衬底环节国产主导格局已定，器件环节是下一阶段主战场

中国厂商合计份额超 50%，衬底定价权与供应安全基本可控。但器件与模组，尤其 1700V 以上高压市场，海外仍占 70%+。下一阶段竞争焦点在车规级功率模块和 AI 电源模组。

研判 2：技术迭代节奏从"三年一代"压缩至"18 个月两代"

英飞凌 205℃ 运行 1300V 模块、Wolfspeed 10kV SiC MOSFET、天岳 12 英寸衬底——技术代际切换加速，跟不上的厂商将被快速淘汰。

研判 3：AI 数据中心将取代新能源车成为 SiC 最大增量

2030 年 SiC 市场 124 亿美元中，AI 基础设施贡献近半。产业逻辑从"单车渗透"走向"全域爆发"，供应链安全边际增强。

研判 4：中国厂商从"跟跑"进入"并跑"，但距"领跑"仍有差距

衬底环节已领跑，器件与模组正在并跑，但高端粉体、离型膜、部分关键设备仍依赖日系。国产替代是一场以年为单位的马拉松，AI 热潮只是发令枪。

附录：数据来源与参考文献

1. 富士经济，2026 年 3 月全球 SiC 衬底市场份额报告

2. Yole Group，《2025 年全球碳化硅功率半导体市场报告》

3. TrendForce，2025 年 SiC 产业链跟踪数据

4. 《第三代半导体产业发展报告 2025》

5. 证券时报，《市占率全球第一！天岳先进 8 英寸碳化硅衬底改写产业格局》，2026-03-25

6. 证券日报，《从跟跑到领跑 天岳先进改写全球碳化硅产业格局》，2026-03-25

7. 36 氪，《一边龙头倒下一边多点落地，第三代半导体走到哪一步？》，2026-06-17

8. 新浪财经，《碳化硅行业迎来周期性反转 供需格局加速重构》，2026-06-29

9. 中国经济网，《碳化硅行业迎来下游需求回暖》，2026-05-26

10. 科创板日报，《MLCC 涨价潮下的华强北"众生相"》，2026-07-11（SiC 相关章节）

11. 工信部 2026 年一季度电子信息制造业运行发布会披露数据

12. 上海有色网，2026 年 SiC 衬底价格走势跟踪