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JVJ25V220M6x8
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贴片型铝电解电容 |
JIERR(捷而瑞)
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SMD,D6.3xL7.7mm
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10+ ￥0.350645
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特性：105°C 2000H标准品。适用于高密度表面安装。高稳定性和可靠性
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227EC0030
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螺栓型铝电解电容 |
KNSCHA(科尼盛)
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螺栓,D64xL130mm
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1+ ￥131.214
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容值 3300uF 精度 ±20% 额定电压 450V 纹波电流 14.8A@120Hz
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MP2104K27C3X6LC
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安规电容 |
SRD(圣融达)
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插件,P=10mm
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20+ ￥0.211992
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变更升级前型号为MP2104KGC3XLC，变更详情请看变更联络函。
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RXA400V470M35X40
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牛角型电解电容 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,D35xL40mm
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1+ ￥19.418
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特性：符合RoHS。105°C 2000小时系列适用于开关电源,伺服,变频器等工业品
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KP104J2J1006
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聚丙烯膜电容(CBB) |
KYET(科雅)
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插件,P=10mm
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10+ ￥0.2533
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容值 100nF 精度 ±5% 额定电压 630V 工作温度 -40℃~+100℃
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ERG25V100M6X7
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直插铝电解电容 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,D6.3xL7mm
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20+ ￥0.16815
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特性：负载寿命:105°C 2000 4000 小时。通过降低高频范围内的 ESR,实现了高纹波电流。符合 RoHS 标准
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CT4-0805B104K500F3
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直插独石电容(MLCC) |
FH(风华)
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插件,P=5.08mm
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10+ ￥0.1881
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特性：体积小,容量大,适合自动安装的卷(编)带包装。环氧树脂封装,从而具有优良的防潮性能、机械强度及耐热性。工业生产标准尺寸及多种脚型产品。应用：一般用途品
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TA2R0M470AR09
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钽电容 |
JIERR(捷而瑞)
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CASE-A-7343-19(mm)
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10+ ￥2.28
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特性：SMD贴片。105°C 2000Hrs
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PE104J2A0501
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薄膜电容 |
KYET(科雅)
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插件,P=5mm
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20+ ￥0.255
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校正电容 黄壳编带 104J100V P=5
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CL10A106KP8NNNC
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贴片电容(MLCC) |
SAMSUNG(三星)
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0603
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500+ ￥0.02755
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容值 10uF 精度 ±10% 额定电压 10V 温度系数 X5R
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DS1972-F5+
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iButton纽扣状存储器 |
ADI(亚德诺)
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1+ ￥34.9932
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iButton1024位EEPROM、 EPROM仿真模式，用于保护数据不被意外擦除
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GT30L32S4W
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字库芯片 |
GENITOP(高通)
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SOP-8-208mil
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1+ ￥6.16
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GT30L32S4W是一款包含12x12点阵、16x16点阵、24x24点阵和32x32点阵的汉字库芯片，支持GB2312汉字（含国家标委会授权）和ASCII字符。排列格式为横排和横式。用户可通过调用
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CSNP1GCR01-AOW
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存储器控制器 |
CS(创世)
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LGA-8(6x8)
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1+ ￥22.33
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SD NAND二代1Gb SLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.5~10万次擦写寿命,高可靠性,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.
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XT61M1G8C2TM-B8BEA
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多芯片封装存储器 |
XTX(芯天下)
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BGA-162(10.5x8)
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1+ ￥37.51
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1G NAND (8bit. ECC;x8) +1G LP DDR2 (x32)
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CY7C1480BV33-250BZI
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SSRAM(同步静态) |
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
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FBGA-165
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1+ ￥693.27
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CY7C1480BV33是一款72-Mbit (2M x 36)的同步动态随机存取内存(SDRAM)，支持250MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器，支持内部突发操作。所有同
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MA2H128CWHAQ
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UFS |
Metorage(星火半导体)
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BGA-153(11.5x13)
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1+ ￥429.8
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符合UFS 3.1标准接口。支持HS-Gear4 x 2通道。支持M-PHY 4.1版本。LS模式支持高达PWM-G4的速率（从3 Mbps到72 Mbps）
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EPCQ16ASI8N
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FPGA配置用存储器 |
Intel/Altera
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SOIC-8
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1+ ￥56.16
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存储容量 16Mbit 工作电压 2.7V~3.6V 工作温度 -40℃~+85℃
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI
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PSRAM(伪静态) |
ISSI(美国芯成)
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TFBGA-48(6x8)
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1+ ￥28.38
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PSRAM产品是为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。64Mb DRAM核心器件组织形式为4M×16位。这些器件具备行业标准的异步存储器接口，与其他低功耗SRAM或伪SRAM（PS
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MB85RC04VPNF-G-JNERE1
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铁电存储器(FRAM) |
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
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SOIC-8
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1+ ￥3.29
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4-Kbit(512 × 8bit)，I2C接口，工作电压：3.0V to 5.5V
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W956D8MBYA5I
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随机存取存储器(RAM) |
Winbond(华邦)
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TFBGA-24
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1+ ￥42.02
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特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V 或 2.7V~3.6V。最大时钟频率：200MHz。双倍数据速率（DDR）高达 400MT/s
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H5AN8G6NDJR-XNC
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动态随机存取存储器(DRAM) |
HYNIX(海力士)
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1+ ￥253.65
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CY14B101NA-ZS45XIT
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nvSRAM(掉电保持) |
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
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TSOP-44
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1+ ￥129.8
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CY14B101NA 是一款快速静态RAM (SRAM)，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器组织为128K字节的8-Bit或64K字的16-Bit。非易失性元素采用QuantumTrap技术
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KLM8G1GETF-B041
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eMMC |
SAMSUNG(三星半导体)
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FBGA-153(11.5x13)
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1+ ￥151.53
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eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此它是使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成
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AT24C64-TD
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非易失性存储器(ROM) |
TDSEMIC(拓电半导体)
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SOP-8
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5+ ￥0.9676
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MKDV1GCL-ABA
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NAND FLASH |
MK(米客方德)
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LGA-8(6x8)
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1+ ￥15.01
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SD NAND Flash类型:SLC,商业级，MKDV1GCL-AB升级款，广泛适配在各大MCU平台上；商业级新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、
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MT41K256M16TW-107 IT:P
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DDR SDRAM |
micron(镁光)
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FBGA-96
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1+ ￥51.15
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DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。
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W9825G6KH-6
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同步动态随机存取内存(SDRAM) |
Winbond(华邦)
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TSOP-54-10.2mm
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1+ ￥23.21
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W9825G6KH 是一款高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 4M 字 x 4 组 x 16 位。具有自刷新模式和低功耗模式。提供多种突发长度和延迟周期设置，适用于高性能应用。
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W25Q64JVSSIQ
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NOR FLASH |
Winbond(华邦)
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SOIC-8-208mil
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5+ ￥8.11
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IS62WV51216BLL-55TLI
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静态随机存取存储器(SRAM) |
ISSI(美国芯成)
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TSOP-44-10.2mm
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1+ ￥34.33
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8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V
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M24C64-RMN6TP
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EEPROM |
ST(意法半导体)
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SOIC-8
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5+ ￥0.7064
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64 Kbit串行I2C总线EEPROM
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NOJB226M010RWJ
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氧化铌电容 |
Kyocera AVX
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CASE-B-3528-21(mm)
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5+ ￥1.0844
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SLA3R8O2060813
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锂离子电容 |
Ymin(永铭)
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插件,P=3.5mm
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1+ ￥5.33
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特性：锂离子电容器,3.8V 1000 小时品,循环寿命 10 万次以上。良好的温度特性:温度 -20°C 可充电,+85°C 可放电,应用 -20°C~+85°C。大电流工作能力:持续充电 20C,
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PZB300MC11R30
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纸介质电容 |
KEMET(基美)
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插件
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1+ ￥19.94
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LHC105SA4K0042NWBX
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硅电容 |
launchip(朗矽)
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0204
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1+ ￥14.94
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硅电容器是以硅为衬底、二氧化硅/氮化硅等薄膜材料为电介质,采用半导体芯片制造工艺制作而成的电容器。相比于陶瓷电容器(MLCC),具有小尺寸、薄厚度、低阻抗、高频低插损、高温度稳定性及高可靠性等特点。硅
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6124B102K500NT
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排容 |
FH(风华)
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0612
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10+ ￥0.2913
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特性：节约空间:可以节省高达50%的PCB空间位置,提高装配密度。更高的体积比容:安装一块CA等于安装4块0603片容,减少安装次数,提高安装效率。降低成本:减少放置的次数;缩短生产时间;减少设备管理
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GA16V100M6X8
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固液混合铝电解电容器 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,D6.3xL8mm
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5+ ￥0.638115
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特性：105°C固液混合品105°C 2000 10000Hrs
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STC3ME30-T1
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可调电容 |
SEHWA(韩国世华)
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SMD,4.5x3.2mm
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1+ ￥2.93
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可变电容器
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JEC5R5V105L
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超级电容器 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,P=11.8mm
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1+ ￥3.94
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CC1H104MC1FD3F6C10MF
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直插瓷片电容 |
Dersonic(德尔创)
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插件,P=5.08mm
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50+ ￥0.11552
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半导体型陶瓷电容器是一种具有半导体特征的陶瓷电容器,其介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。该类电容器具有体积小、容量大的特点,适用于旁路和耦合等电子电路。
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CDV16FF222JO3F
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云母和PTFE电容 |
CDE
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1+ ￥48.95
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PA35V220M6x12
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固态电容 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,D6.3xL12mm
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5+ ￥0.933185
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特性：标准品。105°C 2000Hrs
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JVJ50V100M6x8
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贴片型铝电解电容 |
JIERR(捷而瑞)
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SMD,D6.3xL7.7mm
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5+ ￥0.43548
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特性：105°C 2000H标准品。适用于高密度表面安装。高稳定性和可靠性
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227EC0030
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螺栓型铝电解电容 |
KNSCHA(科尼盛)
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螺栓,D64xL130mm
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1+ ￥131.214
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特性：长寿命、高可靠性,85°C条件下保证使用5000小时。RoHS合规
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KY1102M400VAC70Y10093
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安规电容 |
KNSCHA(科尼盛)
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插件,P=10mm
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20+ ￥0.14402
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特性：温度特性的温度范围:-25°C~+85°C。工作温度范围:-25°C~+125°C。本体表面光洁,无损坏,印字清晰;引脚无氧化,无异物。通过CQC、UL、VDE认证。符合RoHS2.0、REAC
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RXA400V470M35X40
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牛角型电解电容 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,D35xL40mm
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1+ ￥17.917
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特性：符合RoHS。105°C 2000小时系列适用于开关电源,伺服,变频器等工业品
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KP104J2J1006
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聚丙烯膜电容(CBB) |
KYET(科雅)
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插件,P=10mm
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10+ ￥0.2533
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容值 100nF 精度 ±5% 额定电压 630V 工作温度 -40℃~+100℃
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ERG25V100M6X7
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直插铝电解电容 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,D6.3xL7mm
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20+ ￥0.15808
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特性：负载寿命:105°C 2000 4000 小时。通过降低高频范围内的 ESR,实现了高纹波电流。符合 RoHS 标准
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CT4-0805B104K500F3
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直插独石电容(MLCC) |
FH(风华)
|
插件,P=5.08mm
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10+ ￥0.1881
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特性：体积小,容量大,适合自动安装的卷(编)带包装。环氧树脂封装,从而具有优良的防潮性能、机械强度及耐热性。工业生产标准尺寸及多种脚型产品。应用：一般用途品
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TA6R3M150AR30
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钽电容 |
JIERR(捷而瑞)
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CASE-A-7343-19(mm)
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10+ ￥1.824
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特性：SMD贴片。105°C 2000Hrs
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MPE104J100V82CL0044
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薄膜电容 |
KNSCHA(科尼盛)
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插件,P=5mm
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20+ ￥0.24757
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CL21X小型化精密金属化聚酯膜电容器
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CGA0603X7R104K500JT
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贴片电容(MLCC) |
HRE(芯声)
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0603
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100+ ￥0.0114
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100nF ±10% 50V
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CL05B104KO5NNNC
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贴片电容(MLCC) |
SAMSUNG(三星)
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0402
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100+ ￥0.007821
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容值 100nF 精度 ±10% 额定电压 16V 温度系数 X7R
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BAR63-02T
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PIN二极管 |
YONGYUTAI(永裕泰)
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SOD-523
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20+ ￥0.2359
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整流二极管
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DB3W
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触发二极管 |
晶导微电子
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SOD-123F
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50+ ￥0.1017
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双向触发二极管
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SBR8U60P5-13
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超势垒整流器(SBR) |
powt
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PowerDI-5
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5+ ￥2.0826
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特性：超低正向压降。 专利超势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 150℃工作结温。 无铅表面处理；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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BB133
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变容二极管 |
YN
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SOD-323
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100+ ￥0.2489
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可变电容二极管采用平面技术制造，并封装在SOD323超小型塑料SMD封装中。通过滑动匹配和直接匹配组装程序实现了出色的匹配性能。
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BYG10M-E3/TR
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雪崩二极管 |
Y+V
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SMA(DO-214AC)
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50+ ￥0.664
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特性：低外形封装。 适合自动贴装。 可控雪崩特性。 玻璃钝化颗粒芯片结。 低反向电流。 高浪涌电流能力。应用：用于电源、逆变器、转换器的通用整流。 用于消费、汽车和电信领域的续流二极管
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US1MW
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快恢复/高效率二极管 |
Y+I
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SOD-123FL
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50+ ￥0.0647
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特性：低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化托盘芯片结。 快速反向恢复时间。 高效快速开关。 高正向浪涌能力。应用：用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。 用于消费和电信领域的续流二极管
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MB10S
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整流桥 |
Y+I
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MBS
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20+ ￥0.1711
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特性：适用于印刷电路板。 体积小，安装简单。 浪涌电流能力高。 采用模塑塑料技术，结构可靠，成本低。 保证高温焊接：在5lbs.（2.3kg）张力下260℃持续10秒。应用：通用单相桥式整流器应用
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1N4007W
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通用二极管 |
Y+I
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SOD-123FL
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100+ ￥0.0524
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整流二极管
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SS34
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肖特基二极管 |
Y+I
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SMA(DO-214AC)
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20+ ￥0.1741
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特性：低外形封装。 适合自动贴装。 带保护环，用于过压保护。 低功耗，高效率。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260°C。应用：高速开关应用。 电路保护
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SMBJ5339B
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稳压二极管 |
Y+I
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DO-214AA(SMB)
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50+ ￥0.7929
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特性：低齐纳阻抗。 功率耗散为5000mW。 高稳定性和高可靠性。应用：稳压电源中的参考电压源。 过压保护电路中的保护二极管
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B5819WS
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开关二极管 |
Y+I
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SOD-323
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50+ ￥0.1035
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特性：VR 20V/30V/40V。IF(AV) 1A。用于低压、高频逆变器。续流和极性保护应用。快速开关速度。应用：用于低压高频电路信号
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1N4148W
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开关二极管 |
Y+I
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SOD-123
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100+ ￥0.0413
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特性：快速开关器件 (Trr < 4ns)。 功率耗散400mW。 高稳定性和高可靠性。 低反向泄漏。应用：小信号开关。 超高速开关应用
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