硬科技供应链
| 型号 | 分类 | 品牌 | 封装 | 价格 | 描述 |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1972-F5+ | iButton纽扣状存储器 | ADI(亚德诺) | 1+ ￥34.9932 | iButton1024位EEPROM、 EPROM仿真模式，用于保护数据不被意外擦除 | |
| GT30L32S4W | 字库芯片 | GENITOP(高通) | SOP-8-208mil | 1+ ￥6.16 | GT30L32S4W是一款包含12x12点阵、16x16点阵、24x24点阵和32x32点阵的汉字库芯片，支持GB2312汉字（含国家标委会授权）和ASCII字符。排列格式为横排和横式。用户可通过调用 |
| CSNP1GCR01-AOW | 存储器控制器 | CS(创世) | LGA-8(6x8) | 1+ ￥22.33 | SD NAND二代1Gb SLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.5~10万次擦写寿命,高可靠性,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快. |
| XT61M1G8C2TM-B8BEA | 多芯片封装存储器 | XTX(芯天下) | BGA-162(10.5x8) | 1+ ￥37.51 | 1G NAND (8bit. ECC;x8) +1G LP DDR2 (x32) |
| CY7C1480BV33-250BZI | SSRAM(同步静态) | Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) | FBGA-165 | 1+ ￥693.27 | CY7C1480BV33是一款72-Mbit (2M x 36)的同步动态随机存取内存(SDRAM)，支持250MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器，支持内部突发操作。所有同 |
| MA2H128CWHAQ | UFS | Metorage(星火半导体) | BGA-153(11.5x13) | 1+ ￥429.8 | 符合UFS 3.1标准接口。支持HS-Gear4 x 2通道。支持M-PHY 4.1版本。LS模式支持高达PWM-G4的速率（从3 Mbps到72 Mbps） |
| EPCQ16ASI8N | FPGA配置用存储器 | Intel/Altera | SOIC-8 | 1+ ￥56.16 | 存储容量 16Mbit 工作电压 2.7V~3.6V 工作温度 -40℃~+85℃ |
| IS66WVE4M16EBLL-70BLI | PSRAM(伪静态) | ISSI(美国芯成) | TFBGA-48(6x8) | 1+ ￥28.38 | PSRAM产品是为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。64Mb DRAM核心器件组织形式为4M×16位。这些器件具备行业标准的异步存储器接口，与其他低功耗SRAM或伪SRAM（PS |
| MB85RC04VPNF-G-JNERE1 | 铁电存储器(FRAM) | RAMXEED/FUJITSU(富士通) | SOIC-8 | 1+ ￥3.29 | 4-Kbit(512 × 8bit)，I2C接口，工作电压：3.0V to 5.5V |
| W956D8MBYA5I | 随机存取存储器(RAM) | Winbond(华邦) | TFBGA-24 | 1+ ￥42.02 | 特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V 或 2.7V~3.6V。最大时钟频率：200MHz。双倍数据速率（DDR）高达 400MT/s |
| H5AN8G6NDJR-XNC | 动态随机存取存储器(DRAM) | HYNIX(海力士) | 1+ ￥253.65 | ||
| CY14B101NA-ZS45XIT | nvSRAM(掉电保持) | Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) | TSOP-44 | 1+ ￥129.8 | CY14B101NA 是一款快速静态RAM (SRAM)，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器组织为128K字节的8-Bit或64K字的16-Bit。非易失性元素采用QuantumTrap技术 |
| KLM8G1GETF-B041 | eMMC | SAMSUNG(三星半导体) | FBGA-153(11.5x13) | 1+ ￥151.53 | eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此它是使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成 |
| AT24C64-TD | 非易失性存储器(ROM) | TDSEMIC(拓电半导体) | SOP-8 | 5+ ￥0.9676 | |
| MKDV1GCL-ABA | NAND FLASH | MK(米客方德) | LGA-8(6x8) | 1+ ￥15.01 | SD NAND Flash类型:SLC,商业级，MKDV1GCL-AB升级款，广泛适配在各大MCU平台上；商业级新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、 |
| MT41K256M16TW-107 IT:P | DDR SDRAM | micron(镁光) | FBGA-96 | 1+ ￥51.15 | DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。 |
| W9825G6KH-6 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | Winbond(华邦) | TSOP-54-10.2mm | 1+ ￥23.21 | W9825G6KH 是一款高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 4M 字 x 4 组 x 16 位。具有自刷新模式和低功耗模式。提供多种突发长度和延迟周期设置，适用于高性能应用。 |
| W25Q64JVSSIQ | NOR FLASH | Winbond(华邦) | SOIC-8-208mil | 5+ ￥8.11 | |
| IS62WV51216BLL-55TLI | 静态随机存取存储器(SRAM) | ISSI(美国芯成) | TSOP-44-10.2mm | 1+ ￥34.33 | 8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V |
| M24C64-RMN6TP | EEPROM | ST(意法半导体) | SOIC-8 | 5+ ￥0.7064 | 64 Kbit串行I2C总线EEPROM |